TSM2N7000KCT A3G
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

TSM2N7000KCT A3G

Product Overview

Κατασκευαστής:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

TSM2N7000KCT A3G-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92

Αποθέμα:

12892493
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
2Mdt
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

TSM2N7000KCT A3G Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Taiwan Semiconductor
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Discontinued at Digi-Key
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
300mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
0.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
400mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-92
Συσκευασία / Θήκη
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Βασικός αριθμός προϊόντος
TSM2N7000

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,000
Άλλα ονόματα
TSM2N7000KCT A3GTB-DG
TSM2N7000KCT A3GCT-DG
TSM2N7000KCT A3GTB
TSM2N7000KCT A3GCT
TSM2N7000KCTA3GCT
TSM2N7000KCTA3GTB

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2N7000TA
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2N7000TA-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.07
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2N7000-D74Z
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
27687
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2N7000-D74Z-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.09
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2N7000-D26Z
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
14242
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
2N7000-D26Z-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.08
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
taiwan-semiconductor

TSM026NA03CR RLG

MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM9409CS RLG

MOSFET P-CHANNEL 60V 3.5A 8SOP

taiwan-semiconductor

TSM170N06CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 60V 38A TO251

taiwan-semiconductor

TSM3481CX6 RFG

MOSFET P-CHANNEL 30V 5.7A SOT26